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原文传递 1200V IGBT与SiC MOSFET驱动保护电路设计
论文题名: 1200V IGBT与SiC MOSFET驱动保护电路设计
关键词: IGBT;MOSFET;SiC;驱动
作者: 张赓义
专业: 集成电路工程
导师: 高勇;张红卫
授予学位: 硕士
授予学位单位: 西安理工大学
学位年度: 2018
正文语种: 中文
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