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原文传递 SiO2纳米添加物对聚酰亚胺薄膜电性能的影响
论文题名: SiO2纳米添加物对聚酰亚胺薄膜电性能的影响
关键词: 聚酰亚胺;溶胶-凝胶法;介电常数;击穿强度;耐电晕;SiO2纳米添加物
摘要: 21世纪以来,由于高速铁路、电力系统的飞速发展,变频电机得到了更为广泛的应用。变频电机作为高速动车组的动力设备,其寿命对动车组稳定运行具有重要的意义。随着动车组速度的提升,对变频电机的功率要求更高。变频电机多数采用PWM调制驱动,在每一个频率开始时,脉冲极性从正到负或从负到正,电机绕组匝间会受到2倍于尖峰电压值的全幅电压作用而产生局部放电,随着功率的提高,其产生的局部放电会更加的严重。由于变频电机的波阻抗明显大于电缆的波阻抗,使得变频电机受到约两倍的脉冲前沿电压,导致变频电机线圈绝缘层在运行过程中发生局部放电。绝缘材料在局部放电的影响下发生破坏,导致变频调速电机寿命降低。因此,对变频调速电机内用聚酰亚胺薄膜的改性研究,提高其电性能达到延长变频调速电机寿命已然成为变频调速电机设计与制造的重大课题。
   依据溶胶-凝胶法的试验原理制备聚酰亚胺/SiO2复合薄膜,购置仪器设备和化学试剂,搭建试验平台;根据溶胶-凝胶法制备了SiO2纳米粒子含量分别为2%、5%、10%、15%、20%的复合薄膜,并分析了制备聚酰胺酸与聚酰胺酸的铺膜、亚胺化过程中的影响因素。
   利用已研制的SiO2含量不同的复合薄膜,采用SEM和FTIR分别表征了复合薄膜的表面形貌和内部结构特征;测试分析了SiO2含量不同的复合薄膜的介电常数与介质损耗,得出了其随频率、温度的变化规律,并且测试分析了其击穿强度与耐电晕性能,评估了自制的聚酰亚胺/SiO2复合薄膜的电性能。
作者: 辛正亮
专业: 材料科学与工程
导师: 吴广宁
授予学位: 硕士
授予学位单位: 西南交通大学
学位年度: 2013
正文语种: 中文
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