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参数设置对磁记忆技术判断缺陷灵敏度的影响
| 题名： | 参数设置对磁记忆技术判断缺陷灵敏度的影响 |
| 正文语种： | 中文 |
| 作者： | 郭鹏举 赵海江 关卫和 |
| 作者单位： | 合肥通用机械研究院特种设备检验站,230031 |
| 关键词： | 磁记忆检测信号 提离值 记录数据间隔 |
| 摘要： | 研究了提离值b和记录数据间隔s对磁记忆技术判断缺陷灵敏度的影响.结果表明：垂直于缺陷主平面检测时,b为0～10mm时,磁场强度Hp(y)随b值增大下降较为明显,磁场梯度K值成线性下降；b＞10mm时,Hp(y)和K随b增大均下降较小.对于磁信号异常较为明显的部位,本试验中可最大在距其55mm远的距离检测到信号异常.为得到较高的灵敏度,提高检测准确度,在不损伤探头的前提下,应尽量减小b值.s大小对磁记忆信号影响较小,但也不可太大. |
| 会议日期： | 201412 |
| 会议举办地点： | 西安 |
| 会议名称： | 陕西省环境科学学会2014年年会 |
| 出版日期： | 2014-11-30 |
| 母体文献： | 陕西省环境科学学会2014年年会论文集 |
| 分类号： | TG1 TP3 |
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