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Hg在CeO2表面吸附的机理研究
| 题名： | Hg在CeO2表面吸附的机理研究 |
| 正文语种： | 中文 |
| 作者： | 孟帅琦 侯文慧 王小龙 周劲松 |
| 作者单位： | 浙江大学 能源清洁利用国家重点实验室,浙江 杭州 310027 |
| 关键词： | 汞 二氧化铈 密度泛函理论 吸附机理 |
| 摘要： | 随着经济与科技的飞速发展,Hg 的排放量不断增加,严重威胁着人类的生存环境和身体健康。对汞污染控制的方法较多,比如利用金属氧化物对其进行吸附。随着量子化学的不断完善和计算水平的不断提高,利用密度泛函理论研究Hg 在金属氧化物表面的吸附已经成为认识Hg 吸附机理的重要手段。本文建立了Hg 在CeO2 表面吸附的吸附模型,计算了Hg 在CeO2 表面吸附的结合能及键长,得到了Hg 在CeO2上的吸附构型。研究结果显示,结构优化后的Hg 原子远离吸附表面,与基底原子之间并未形成新的结合键。这从机理上进一步说明单纯依靠CeO2对Hg 进行吸附是不可行的,在今后的研究中应该注重CeO2 结构改变对Hg 吸附的影响。 |
| 会议日期： | 20150516 |
| 会议举办地点： | 上海 |
| 会议名称： | 第十九届SO2、NOX、PM2.5、Hg污染防治技术研讨会 |
| 出版日期： | 2015-05-16 |
| 母体文献： | 第十九届SO2、NOX、PM2.5、Hg污染防治技术研讨会论文集 |
| 分类号： | G30 F11 |
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