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原文传递半导体装置和电位测量装置

专利名称：	半导体装置和电位测量装置
摘要：	本发明涉及：当电极和放大器设置在同一基板上时能够在电极形成过程中防止静电击穿的半导体装置和电位测量装置。设置有这样的二极管：该二极管的负极连接至放大晶体管的前一级，该放大晶体管用于放大由用于读取电位的读取电极读取的信号，该读取电极与输入有样本的液体接触；并且该二极管的正极接地。使用该构造，通过使电极形成过程中的在电极和放大晶体管之间产生的负电荷从二极管旁通并且向地排出负电荷来防止静电击穿。本发明适用于生物电电位测量装置。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	日本;JP
申请人：	索尼半导体解决方案公司
发明人：	佐藤正启;亀谷真知子;小木纯;加藤祐理
专利状态：	有效
申请日期：	2017-11-17T00:00:00+0800
发布日期：	2019-07-16T00:00:00+0800
申请号：	CN201780072891.3
公开号：	CN110023746A
代理机构：	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人：	瓮芳;陈桂香
分类号：	G01N27/416(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	日本神奈川县
主权项：	1.半导体装置，其包括：参考电位产生单元和参考电位电极，这两者被构造成向液体供应参考电位；读取电极和放大器，这两者被构造成从所述液体读取信号；以及保护部，所述保护部被构造成在所述放大器的前一级中保护所述放大器不受负电荷的影响，其中所述参考电位产生单元、所述参考电位电极、所述读取电极、所述放大器和所述保护部安装在同一基板上。 2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述保护部使在用于形成所述读取电极和所述参考电位电极的电极形成过程时产生的所述负电荷旁通，以保护所述放大器，所述负电荷原本是经由与所述读取电极和所述参考电位电极连接的配线而通向所述放大器的。 3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述放大器是放大晶体管，所述读取电极连接至所述放大晶体管的栅极，且所述保护部是保护二极管，所述保护二极管的负极连接至所述栅极的在用于连接所述读取电极和所述放大晶体管的所述配线上的前一级，并且所述保护二极管的正极接地。 4.根据权利要求3所述的半导体装置，其还包括：附加保护部，所述附加保护部包括附加二极管，所述附加二极管的正极连接至所述保护二极管的所述负极，所述附加二极管的负极连接至预定电源，所述附加二极管具有与所述保护二极管相同的IV(电流电压)特性。 5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述预定电源的电压高于所述参考电位。 6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述预定电源是所述放大晶体管的电源。 7.根据权利要求3所述的半导体装置，其还包括：另一保护部，所述另一保护部被构造成在所述参考电位产生单元的前一级中保护所述放大器不受负电荷的影响。 8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中所述另一保护部使在用于形成所述读取电极和所述参考电位电极的电极形成过程时产生的所述负电荷旁通，以保护所述参考电位产生单元，所述负电荷原本是经由与所述参考电位电极和所述参考电位产生单元连接的配线而通向所述参考电位产生单元的。 9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述另一保护部是另一保护二极管，所述另一保护二极管的负极连接至所述参考电位产生单元的在用于连接所述参考电位电极和所述参考电位产生单元的所述配线上的前一级，并且所述另一保护二极管的正极接地。 10.根据权利要求9所述的半导体装置，其还包括：另一附加保护部，所述另一附加保护部包括另一附加二极管，所述另一附加二极管的正极连接至所述二极管的所述负极，所述另一附加二极管的负极连接至预定电源，所述另一附加二极管具有与所述另一保护二极管相同的IV(电流电压)特性。 11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述预定电源的电压高于所述参考电位。 12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中所述预定电源是所述放大晶体管的电源。 13.电位测量装置，其包括：参考电位产生单元和参考电位电极，这两者被构造成向液体供应参考电位；读取电极和放大器，这两者被构造成从所述液体读取信号；以及保护部，所述保护部被构造成在所述放大器的前一级中保护所述放大器不受负电荷的影响，其中所述参考电位产生单元、所述参考电位电极、所述读取电极、所述放大器和所述保护部安装在同一基板上。
所属类别：	发明专利