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检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的集成系统及其测试方法
| 专利名称： | 检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的集成系统及其测试方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种检测高阻半导体材料缺陷及电学性能的多功能集成系统及其测试方法，系统包括光生电流瞬态谱装置，能获取高阻半导体材料内缺陷精确表征和电阻率、迁移率寿命积等电学性能参数，进而研究不同缺陷对高阻半导体材料电学性能影响效应。系统基于光生电流瞬态谱测试方法，配备低温微电流输运恒温台，并利用LABVIEW等编程软件自主编制相应的接口程序、测量和数据采集处理程序，构建了计算机控制的光生电流瞬态谱测试平台，实现了半导体深能级缺陷表征功能。系统集成了低温光电导测试功能和可获取载流子俘获特性来分析缺陷行为功能。为研究半导体材料内部复杂的深能级缺陷及其对器件电学性能的影响机制提供关键可靠的表征手段。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 上海大学 |
| 发明人： | 梁小燕;王林军;沈悦;闵嘉华;宋晓隆;李士泽;邱攀辉;冯成杰;谢忱;徐闰;张继军 |
| 专利状态： | 在审 |
| 申请日期： | 2020-11-27T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2021-03-26T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN202011367161.6 |
| 公开号： | CN112557343A |
| 代理机构： | 上海上大专利事务所(普通合伙) |
| 代理人： | 顾勇华 |
| 分类号： | G01N21/39;G01N21/63;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/39;G01N21/63 |
| 申请人地址： | 200444 上海市宝山区上大路99号 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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