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原文传递一种方硅芯的加工方法

专利名称：	一种方硅芯的加工方法
摘要：	本发明涉及多晶硅技术领域，尤其涉及一种方硅芯的加工方法；包括先将圆硅棒顶部面切割第一凹槽，再将圆硅棒沿轴线旋转90°，沿圆硅棒长度方向切割出直面，将圆硅棒切割成正方形截面的形状；将圆硅棒顶部的直面切割第二凹槽，将圆硅棒沿轴线旋转90°，第二凹槽从顶部旋转至侧面，切割线从圆硅棒的端面，沿圆硅棒长度方向切割出D1X D2的方硅芯，以此类推，依次进行其他三个面方硅芯的旋转切割，继续切割直至圆硅棒尺寸不满足方硅芯尺寸为止，通过先加工第二凹槽，再沿轴线进行旋转90°，然后再沿凹槽底部线切割得到想要的方硅芯，第二凹槽将圆硅棒切割若干段，线切割时，减薄的多晶硅层，有效去除硅棒应力，圆硅棒不炸裂，提高了方硅芯的合格率。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	江苏鑫华半导体科技股份有限公司
发明人：	姚旺;仝礼;徐玲锋
专利状态：	有效
申请日期：	2023-09-21T00:00:00+0800
发布日期：	2023-11-17T00:00:00+0800
申请号：	CN202311230004.4
公开号：	CN117067418A
代理机构：	北京锦信诚泰知识产权代理有限公司
代理人：	丁涛
分类号：	B28D5/04;B28D7/00;B;B28;B28D;B28D5;B28D7;B28D5/04;B28D7/00
申请人地址：	221000 江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号
主权项：	1.一种方硅芯的加工方法，其特征在于，包括： S10：将圆硅棒沿长度方向水平设置，在圆硅棒顶面设置第一凹槽，第一凹槽的长度方向与圆硅棒的轴线方向平行，所述第一凹槽的底面等高； S20：将圆硅棒沿轴线旋转90°，切割线与第一凹槽的底面对齐设置进行切割，将圆硅棒去杂皮，在圆硅棒的表面形成直面； S30：重复步骤S10、S20，将圆硅棒表面四等分，加工成带圆弧过渡边的正方形截面的圆硅棒； S40：在圆硅棒上方的直面上设置第二凹槽，第二凹槽的长度方向与圆硅棒的轴线方向平行，第二凹槽的深度方向与所述直面垂直；相邻所述第二凹槽的间距为D1，第二凹槽的深度为D2； S50：将圆硅棒沿圆硅棒的轴线旋转90°，切割线与第二凹槽的底面对齐设置进行切割，去除部分得到若干截面为D1XD2的方硅芯； S60：收集切割完后的硅芯，重复步骤S40、S50，直至圆硅棒尺寸不满足方硅芯尺寸为止。 2.根据权利要求1所述的方硅芯的加工方法，其特征在于，在步骤S20、S50中，切割线之前，需要对切割线进行校正，保证切割面的直线度和垂直度小于0.1mm。 3.根据权利要求1所述的方硅芯的加工方法，其特征在于，在步骤S10、S40中，所述第一凹槽和第二凹槽采用圆盘锯加工而成。 4.根据权利要求3所述的方硅芯的加工方法，其特征在于，所述圆盘锯上设有至少设有两个锯片，每次切割出两个以上第一凹槽或第二凹槽。 5.根据权利要求4所述的方硅芯的加工方法，其特征在于，相邻锯片之间设有调节块，用于调节相邻第二凹槽之间的间距D1。 6.根据权利要求3所述的方硅芯的加工方法，其特征在于，所述圆盘锯上设有一个锯片，每次切割出一个第一凹槽或第二凹槽。 7.根据权利要求4或6所述的方硅芯的加工方法，其特征在于，相邻第二凹槽的切割路线的切割方向相同。 8.根据权利要求4或6所述的方硅芯的加工方法，其特征在于，相邻第二凹槽切割路线的切割方向相反。 9.根据权利要求3所述的方硅芯的加工方法，其特征在于，所述圆盘锯切割的转速和切割量相同。 10.根据权利要求1所述的方硅芯的加工方法，其特征在于，在步骤S40中，相邻所述第二凹槽的间距为D1，第二凹槽的深度为D2均不超过15mm。
所属类别：	发明专利