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一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用
| 专利名称： | 一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用 |
| 摘要： | 本发明涉及功能材料和分析检测技术领域，具体涉及一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法和应用。其中，一种表面增强拉曼散射基底的制备方法，包括：在硅纳米阵列表面依次进行银膜、金膜的沉积，最后进行两次等离子刻蚀处理即得。本方法沉积两种金属纳米薄膜后通过两次等离子刻蚀处理，使得双金属纳米阵列表面充分活化，发明人发现该两次等离子刻蚀处理手段能够选择性地在双金属纳米阵列表面产生纳米级间隙，在保障阵列均一性的前提下进一步提高增强位点的面密度，进而制备得到大面积均一性好且结构稳定、增强效果更加优异的表面增强拉曼散射基底。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 南通伊仕生物技术股份有限公司 |
| 发明人： | 王蕾;吴静;王久川;李卓;欧卫军 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2023-08-11T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2023-11-10T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN202311019118.4 |
| 公开号： | CN117030681A |
| 代理机构： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 廖慧敏 |
| 分类号： | G01N21/65;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/65 |
| 申请人地址： | 226010 江苏省南通市经济技术开发区星湖大道1692号15号厂房 |
| 主权项： | 1.一种表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于，包括：在硅纳米阵列表面依次进行银膜、金膜的沉积，最后进行两次等离子刻蚀处理即得。 2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述银膜的厚度为5-10 nm。 3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述金膜的厚度为95-105 nm。 4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述沉积采用磁控溅射技术进行处理。 5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的条件为：真空度低于8×10-4 Pa，沉积速率为 6.一种表面增强拉曼散射基底，其特征在于，其由上述权利要求1-5任一项所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法制备得到。 7.权利要求6所述的表面增强拉曼散射基底在毒品检测中的应用。 8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，包括如下步骤： 1)配制不同浓度的毒品标准溶液，分别对表面增强拉曼散射基底进行浸泡处理； 2)将步骤1)中浸泡处理后的表面增强拉曼散射基底置于拉曼光谱仪检测平台上，进行图谱采集以及信号稳定性表征，获取毒品浓度与特征拉曼峰强度的关系； 3)采用表面增强拉曼散射基底对毒品待测液进行表面增强拉曼光谱检测，得到毒品的特征拉曼峰强度，根据步骤2)中获取的毒品浓度与特征拉曼峰强度的关系计算得到毒品浓度。 9.根据权利要求8所述的应用，其特征在于，所述浸泡处理后还采用惰性气体进行吹干。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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