详情

原文传递毛细管电泳芯片制备方法

专利名称：	毛细管电泳芯片制备方法
摘要：	一种微细加工技术领域的毛细管电泳芯片制备方法，包括如下步骤：制备第一粘附-种子层；甩第一光刻胶，烘胶，光刻支撑立柱的结构图形；在支撑立柱的结构图形的空腔内电镀支撑立柱；制备第二粘附-种子层；甩第二光刻胶，烘胶，光刻毛细管电泳芯片图形；在毛细管电泳芯片图形空腔内电镀；依次去除第二层光刻胶、第二粘附-种子层，得到悬空的金属管网状结构；以金属管网状结构为阴极，惰性金属为阳极，将二者浸入阴极电泳液中，通电，得到被薄膜包裹的金属管网状结构；在薄膜上开出两孔，然后将被薄膜包裹的金属管网状结构烧结，腐蚀，即得毛细管电泳芯片。本发明的方法制作的毛细管芯片精度高，易于大批量生产。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	上海交通大学
发明人：	丁桂甫;姚锦元;程吉凤;吴日新;宿智娟
专利状态：	有效
申请日期：	2009-06-25T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN200910053745.3
公开号：	CN101590998
代理机构：	上海交达专利事务所
代理人：	王锡麟;王桂忠
分类号：	B81C1/00(2006.01)I
申请人地址：	200240上海市闵行区东川路800号
主权项：	1、一种毛细管电泳芯片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，清洗玻璃基片，烘干，在基片上溅射Cr作为粘附层，在粘附层上溅射Cu作为种子层，粘附层和种子层合为第一粘附-种子层；步骤二，在第一粘附-种子层上甩第一光刻胶，烘胶，在第一光刻胶上光刻支撑立柱的结构图形；步骤三，在支撑立柱的结构图形的空腔内电镀支撑立柱，电镀的厚度与第一光刻胶的厚度相同；步骤四，在第一光刻胶和支撑立柱上溅射Cr作为粘附层，在粘附层上溅射 Cu为作种子层，粘附层和种子层合为第二粘附-种子层；步骤五，在第二粘附-种子层上甩第二光刻胶，烘胶，在第二光刻胶上光刻毛细管电泳芯片图形；步骤六，在毛细管电泳芯片图形空腔内电镀，电镀厚度和第二光刻胶的厚度相同；步骤七，依次去除第二层光刻胶、第二粘附-种子层，得到悬空的金属管网状结构；步骤八，以金属管网状结构为阴极，惰性金属为阳极，将二者浸入阴极电泳液中，通电，得到被薄膜包裹的金属管网状结构；步骤九，在薄膜上开出两孔，然后将被薄膜包裹的金属管网状结构烧结，之后放入腐蚀液中浸泡，即得毛细管电泳芯片。
所属类别：	发明专利