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原文传递微电子光学倏逝场传感器

专利名称：	微电子光学倏逝场传感器
摘要：	提供了一种用于检测结合表面(12)附近的目标成分(10)的微电子传感器设备(100)，该设备包括：用于发射入射在结合表面(12)的具有一波长的辐射束(101)的源(21)；位于结合表面(12)附近的光学结构(11)，用于响应于入射在结合表面(12)的辐射，在由结合表面(12)界定的且在从离开结合表面(12)到样品室(2)内的衰减长度上延伸的检测体积(4)内提供倏逝辐射；以及用于响应于来自源(21)的所发射的入射辐射(101)，检测来自检测体积(4)内存在的目标成分(101)的辐射(102)的检测器(31)，其中结合表面(12)配置有电介质材料(3)的直立壁，用于提供一个或多个检测体积(4)，该检测体积被界定到小于衍射极限的最大面内检测体积尺寸(W1)，衍射极限由辐射波长和用于包含目标成分(10)的介质(2)定义。
专利类型：	发明专利
申请人：	皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人：	D·J·W·克伦德;C·R·M·德威茨;R·彭特曼;R·W·I·德博尔;E·M·H·P·范迪克
专利状态：	有效
申请日期：	2008-10-30T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN200880114706.3
公开号：	CN101952710A
代理机构：	中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人：	李亚非;刘鹏
分类号：	G01N21/55(2006.01)I
申请人地址：	荷兰艾恩德霍芬
主权项：	一种用于响应于入射辐射，在用于包含介质内的目标成分的检测体积内提供倏逝辐射的光学设备，所述检测体积具有至少一个小于衍射极限的面内尺寸(W1)，所述衍射极限由该辐射波长和用于包含目标成分的介质定义；其中所述检测体积配置有至少一个电介质材料的壁。
所属类别：	发明专利