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微流体装置和操作及制造其的方法
| 专利名称： | 微流体装置和操作及制造其的方法 |
| 摘要： | 一种微机电系统MEMS装置和用于操作该装置以确定流体的至少一个特性的方法。该装置包括位于基底上的基部和从该基部延伸并与基底的表面分隔开的管结构。管结构包括：至少一个管部分，更优选地，基本位于一个平面上的至少一对平行的管部分；被限定为至少部分地在所述平行的管部分内的至少一个连续的内部通路；和被流体连接到所述基部的内部通路的入口和出口。驱动元件可操作，以在管结构的平面中引起该管结构的振动运动，并且在管部分中引起共振的振动运动。感测元件在管结构被采用驱动元件振动时对管部分的偏斜进行感测。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 集成感应系统公司 |
| 发明人： | D·R·斯帕克斯;M·W·普蒂;N·纳贾菲;R·T·史密斯 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2009-02-11T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN200980104802.4 |
| 公开号： | CN101952193A |
| 代理机构： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
| 代理人： | 原绍辉 |
| 分类号： | B81B1/00(2006.01)I |
| 申请人地址： | 美国密执安州 |
| 主权项： | 一种MEMS装置(10)，用于确定流体的至少一个特性，所述装置(10)包括：基底(12)；位于所述基底(12)上的第一基部(16，16A)；从所述第一基部(16，16A)延伸并且与所述基底(12)的表面(18)分隔开的管结构(14)，所述管结构(14)包括：基本位于一个平面上的至少一对几何上平行的管部分(14A，14B)，被限定为至少部分地位于所述平行的管部分(14A，14B)内的至少一个连续的内部通路(20，20A B)，以及流体连接到所述第一基部(16，16A)的所述内部通路(20，20A B)的入口和出口(22)，所述管结构(14)被配置为在所述管结构(14)的所述平面中进行振动运动；至少一个驱动元件(26，48)，所述至少一个驱动元件(26，48)与所述管结构(14)接近，并且可操作以引起所述管结构(14)在所述管结构(14)的所述平面内的振动运动，并且在所述管部分(14A，14B)中引起共振的振动运动；和至少一个感测元件(28A C)，所述至少一个感测元件(28A C)与所述管结构(14)接近，并且适于当所述管结构(14)被采用所述至少一个驱动元件(26，48)振动时，感测各个所述管部分(14A，14B)的偏斜。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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