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原文传递高中心场磁瓦模具的磁路结构

专利名称：	高中心场磁瓦模具的磁路结构
摘要：	本发明涉及一种高中心场磁瓦模具的磁路结构，包括由导磁材料制成的上、下冲头，上、下冲头的成型面与基体间分别嵌有导磁材料层，形成磁通折射面，其中：上冲头的不导磁材料嵌层的形状由两侧L、L1线段，B顶端线段组成，其中L、L1线段为直线段，B线段为弧线段或直线段，夹角α在50～72°之间，下冲头的嵌合形状由顶端弧线，两边直线和底边弧线组成，夹角β＝2(90°-α)+0～11)。本发明通过对导磁材料制成的上、下模冲分别嵌入形状经过精细设计的不导磁材料层，形成更为有效的磁通折射面，从而实现在坯体成型时，磁性粒子受到更为理想的聚合磁场的作用而作更恰当的取向，从而实现磁瓦的高中心场，高的中位表磁，对有效改善电机的机械特性产生积极的贡献。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	上海龙磁电子科技有限公司
发明人：	万遥
专利状态：	有效
申请日期：	2010-08-09T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201010247626.4
公开号：	CN101934551A
代理机构：	上海申汇专利代理有限公司 31001
代理人：	吴宝根
分类号：	B28B7/00(2006.01)I
申请人地址：	201517 上海市金山区吕巷镇吕青公路185号
主权项：	一种高中心场磁瓦模具的磁路结构，包括由导磁材料制成的上、下冲头(1，3)，其特征在于：所述上、下冲头的型腔上分别嵌有上、下不导磁材料层(2，4)，形成有效的磁通折射面，其中：(1)上冲头的上不导磁材料层(2)的形状由两侧L、L1线段，B顶端线段组成，其中L、L1线段为直线段，B线段为弧线段或直线段，L，L1线段与型面的夹角α在50～72°之间，上不导磁材料层(2)厚度H是其边底厚度h的2～2.5倍；边底厚度h为4～10毫米；(2)下冲头的下不导磁材料层(4)与导磁材料层基体间的嵌合形状由顶端弧线，两边直线和底边弧线组成，两直线段所形成的夹角β＝2(90° α)+(0～11)；下不导磁材料层(4)两边厚度h1为8～15毫米；嵌层顶端厚度c为0，1.5～2毫米，顶端弧线宽度f1为(0.32～0.35)的下冲头宽度F，两边直线和底边弧线连接处之间的距离f2为(0.56～0.6)的下冲头宽度F。
所属类别：	发明专利