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基于碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构的气敏传感器元件的制备方法
| 专利名称： | 基于碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构的气敏传感器元件的制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构的气敏传感器元件的制备方法，步骤为：(1)模板的清洗；(2)多孔氧化钨薄膜的制备；(3)以多孔氧化钨薄膜结构作为阴极，电泳沉积碳纳米管薄膜，制备碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构薄膜；(4)沉积铂点电极，形成气敏传感器元件。本发明的基于碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构的气敏传感器元件结构新颖、制备过程简单、尤其对于低浓度气体的室温探测灵敏度高。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 天津;12 |
| 申请人： | 天津大学 |
| 发明人： | 秦玉香;沈万江;胡明;包智颖;李晓 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2010-10-24T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201010517073.X |
| 公开号： | CN101973510A |
| 代理机构： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
| 代理人： | 曹玉平 |
| 分类号： | B81C1/00(2006.01)I |
| 申请人地址： | 300072 天津市南开区卫津路92号 |
| 主权项： | 一种基于碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构的气敏传感器无件的制备方法，具有如下步骤：(1)模板的清洗：将多孔氧化铝模板用丙酮溶剂浸泡30分钟取出，再放入无水乙醇中超声清洗5分钟，烘干备用；(2)多孔氧化钨薄膜的制备：将洁净的模板置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，采用质量纯度为99.9％的金属钨作为靶材，以质量纯度为99.999％的氩气作为工作气体，质量纯度为99.999％的氧气作为反应气体在步骤(1)备用的多孔氧化铝模板之上溅射沉积多孔氧化钨薄膜；(3)碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构的制备：a)以步骤(2)沉积得到的多孔模板/多孔氧化钨薄膜结构作为阴极，电泳沉积碳纳米管薄膜，所述电泳沉积工艺：电泳电压为30～100V，电泳时间为0.5～10min，阴极与阳极的间距为1～5cm，电泳液预沉降时间30min～2h，电泳液预超声分散时间1～2h；电泳液使用水、异丙醇和正丁醇中的任意一种作为分散剂；电泳时的阳极可以是铜电极、铝电极、不锈钢电极中的任意一种；碳纳米管为单壁或多壁碳管，在使用前预研磨1h；b)除去沉积在多孔氧化钨薄膜表面的多余碳纳米管，空气中放置10min，60℃干燥1h；c)在程序烧结炉中于400600℃空气气氛热处理34小时，控制升温速率小于2.5°/min，制得碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构薄膜。(4)基于碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构的气敏传感器元件的制备：利用射频磁控溅射法在步骤(3)中获得的碳纳米管微阵列/氧化钨纳米复合结构薄膜表面沉积铂点电极，形成气敏传感器元件。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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