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第三代半导体材料氮化镓的拉曼光谱分析
| 题名： | 第三代半导体材料氮化镓的拉曼光谱分析 |
| 作者： | 王亚伟 |
| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 关键词： | 第三代半导体材料;氮化镓;拉曼光谱; |
| 摘要： | 第三代半导体材料中氮化镓是高频电子器件、大功率电子器件和微波功率器件制造领域的首选材料。为了实现高质量氮化镓材料的外延生长，并且精准表征氮化镓外延材料的特性，文章对氮化镓外延材料进行了深入的拉曼光谱分析。实验结果表明，对氮化镓外延材料进行拉曼光谱分析时最佳扫描范围是100～1 000 cm-1、最佳曝光时间是5 s、最佳光孔直径为100μm，从而更精准地表征氮化镓外延材料，进而对微波功率器件的性能提升起到推动作用。 |
| 期刊名称： | 物流技术 |
| 出版日期： | 202402 |
| 出版年： | 2024 |
| 期： | 3 |
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