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基于宽禁带半导体材料氮化镓的原子力显微镜分析
| 题名： | 基于宽禁带半导体材料氮化镓的原子力显微镜分析 |
| 作者： | 王亚伟 |
| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 关键词： | 氮化镓;原子力显微镜;表面形貌; |
| 摘要： | 微波功率器件在无线通信技术领域扮演着重要角色，而宽禁带半导体材料对微波功率器件的研究起着关键作用。氮化镓作为宽禁带半导体的代表，具有介电常数小、载流子饱和速率高、热导率高等优良特性。文章通过对氮化镓外延材料进行深入的原子力显微镜(Atomic Force Microscope, AFM)分析，能够更精准地表征氮化镓外延材料，从而助力微波功率器件的发展。 |
| 期刊名称： | 物流技术 |
| 出版日期： | 202402 |
| 出版年： | 2024 |
| 期： | 3 |
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