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原文传递 少子寿命对高压FRD和IGBT特性影响的研究
论文题名: 少子寿命对高压FRD和IGBT特性影响的研究
关键词: 少子寿命;高压;IGBT
作者: 赵国伟
专业: 电子科学与技术;物理电子学
导师: 马丽
授予学位: 硕士
授予学位单位: 西安理工大学
学位年度: 2022
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