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少子寿命对高压FRD和IGBT特性影响的研究
论文题名:
少子寿命对高压FRD和IGBT特性影响的研究
关键词:
少子寿命;高压;IGBT
作者:
赵国伟
专业:
电子科学与技术;物理电子学
导师:
马丽
授予学位:
硕士
授予学位单位:
西安理工大学
学位年度:
2022
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