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一种多孔硅生物芯片及其制备方法
| 专利名称： | 一种多孔硅生物芯片及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及生物技术领域，公开了一种多孔硅生物芯片及其制备方法。本发明提供的多孔硅制备方法是采用氧化模式为恒电流电解、电流密度3mA/cm2、电解时间为500～700秒的电化学阳极氧化技术对单面抛光硅片进行腐蚀得到多孔硅，之后利用功能化的硅烷偶联剂对多孔硅表面进行功能化修饰，得到含有活性基团的修饰层，然后以功能化的多孔硅为载体制备多孔硅生物芯片。本发明所述制备方法简便，设备需求少，适宜进行大批量生产。利用本发明所述方法制备得到的多孔硅生物芯片具有灵敏度高，选择性好和重现性佳等优点，可用于生物大分子的相互作用的研究。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 吉林;22 |
| 申请人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 发明人： | 王振新;高晶清;刘殿骏;刘震 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-10-11T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110306647.3 |
| 公开号： | CN102507671A |
| 代理机构： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
| 代理人： | 魏晓波;逯长明 |
| 分类号： | G01N27/26(2006.01)I |
| 申请人地址： | 130000 吉林省长春市人民大街5625号 |
| 主权项： | 一种多孔硅生物芯片的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：将单面抛光硅片的抛光面与电解液接触并通过电解液接阴极电压，背面与导体接触并通过导体接阳极电压，然后进行电化学阳极氧化得到多孔硅，其中，所述氧化模式为恒电流电解、电流密度3mA/cm2、电解时间为500～700秒；步骤2：对步骤1制得的多孔硅进行功能化修饰，然后利用生物芯片点样系统均匀滴加生物大分子标准液即得。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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