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钛基底上多孔镍-铜氧化物纳米线阵列无酶葡萄糖传感器电极
| 专利名称： | 钛基底上多孔镍-铜氧化物纳米线阵列无酶葡萄糖传感器电极 |
| 摘要： | 钛基底上多孔镍-铜氧化物纳米线阵列无酶葡萄糖传感器电极。该电极为钛基底上镍-铜氧化物纳米颗粒交叠组装的多孔纳米线阵列结构，其单根纳米线顶端直径20±1纳米，长度2±0.2微米，垂直、均匀、致密地分布在钛金属表面，呈现阵列；单根纳米线由5±0.2纳米的氧化铜和氧化镍纳米颗粒交叠组装而成，纳米线中具有5±0.2纳米的纳米孔均匀分布。制法是：将清洁的钛金属片置入二水氯化铜，六水氯化镍和尿素的水溶液中；然后在聚四氟乙烯内胆的高压釜中密封加热到120℃，保持24小时；自然冷却后将钛金属片取出，即得电极样品的前驱体(Ni，Cu)2(OH)2CO3纳米线阵列薄膜。再将前驱体样品在空气中350℃和500℃分别退火得到传感器电极。该电极应用于生物、医学、电子仪器类产品中。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖北;42 |
| 申请人： | 华中师范大学 |
| 发明人： | 黄新堂;丁瑞敏;刘金平 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-10-21T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110321626.9 |
| 公开号： | CN102507692A |
| 代理机构： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
| 代理人： | 张安国;伍见 |
| 分类号： | G01N27/327(2006.01)I |
| 申请人地址： | 430079 湖北省武汉市洪山区珞瑜路152号 |
| 主权项： | 一种无酶葡萄糖传感器电极，其特征在于，该电极为钛基底上镍?铜氧物化纳米颗粒交叠组装的多孔纳米线阵列构成，其单根纳米线顶端直径20±1纳米，长度2±0.2微米，垂直、均匀、致密地分布在钛金属表面，呈现阵列；单根纳米线由5±0.2纳米的氧化铜和氧化镍纳米颗粒交叉叠组装而成，纳米线中具有5±0.2纳米的纳米孔均匀分布。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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