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基于磁场力的平行大通量单分子力谱方法
| 专利名称： | 基于磁场力的平行大通量单分子力谱方法 |
| 摘要： | 本发明提出一种基于磁场力的平行大通量单分子力谱方法，将单个分子连接于磁珠之上，放置于线圈中。通过直流升压电路对电容充电获得高电压，然后使电容对电磁线圈放电，线圈电流上升至一定水平后，直流稳压电源开始稳定对线圈供电，从而在短时间内迅速在线圈外部产生一个稳定磁场，对多个磁珠产生基本相同作用力。通过显微镜观察磁珠衍射斑的变化，判断磁珠相对基底之间的移动距离，使用相机间隔设定时间成像，从而可以同时得到多个分子进行单分子力谱测量。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 上海交通大学 |
| 发明人： | 邵志峰;沈轶;丹尼尔·恰可夫;李小卫;孙洁林;胡钧 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-09-28T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110301093.8 |
| 公开号： | CN102507724A |
| 代理机构： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
| 代理人： | 郑玮 |
| 分类号： | G01N27/72(2006.01)I |
| 申请人地址： | 200240 上海市闵行区东川路800号 |
| 主权项： | 一种基于磁场力的平行大通量单分子力谱方法，其特征在于，包括下列步骤：通过直流升压电路对电容充电，然后使电容对电磁线圈放电，电磁线圈中电流上升；当电磁线圈电流上升至设定水平后，直流稳压电源开始稳定对电磁线圈供电，从而在电磁线圈外部产生一个稳定磁场；将磁珠连接于分子一端，将分子另一端连接与基底表面，或者在基底表面连接另一类分子，两类分子通过特定相互作用连接；将包括磁珠与基底的样品置于电磁线圈附近，通过开启控制电磁线圈电流来控制磁场的开启与大小，进而控制磁珠所受磁场力的大小；使用倒置显微镜和相机追踪记录磁珠位置 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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