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原文传递 一种用于离子检测的氨基功能化多孔硅基复合材料的制备方法
专利名称: 一种用于离子检测的氨基功能化多孔硅基复合材料的制备方法
摘要: 本发明提供一种用于离子检测的氨基功能化多孔硅基复合材料的制备方法,将N型或P型硅片进行预处理,再将硅片放入腐蚀液中以双电槽或单电槽电化学腐蚀法,将硅片作为阳极,铂片作为负极,施加腐蚀电流,即将硅片腐蚀得到多孔硅;然后进行清洗,再对多孔硅表面进行热氧化处理,使其表面引入硅羟基键,然后将多孔硅放入含氨基配体的物质中,搅拌进行氨基功能化处理,即得到氨基功能化多孔硅基复合材料。该材料表现出对痕量银离子和铜离子具有较高的灵敏度和选择特性;具有极大的比表面积和高的表面活性,这有利于对其进行简便、高效的表面改性。且该方法简单,易于操作,且能快速获得氨基功能化多孔硅基复合材料。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 云南;53
申请人: 昆明理工大学
发明人: 马文会;李绍元;周阳;魏奎先;谢克强;龙萍;王飞;伍继君;徐宝强;刘大春;杨斌;戴永年
专利状态: 有效
申请日期: 2011-11-30T00:00:00+0800
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201110389121.6
公开号: CN102520041A
分类号: G01N27/333(2006.01)I
申请人地址: 650093 云南省昆明市五华区学府路253号
主权项: 一种用于离子检测的氨基功能化多孔硅基复合材料的制备方法,其特征在于经过下列各步骤:A.将N型或P型硅片进行预处理,再将硅片放入腐蚀液中以双电槽或单电槽电化学腐蚀法,将硅片作为阳极,铂片作为负极,施加5~100mA/cm2的腐蚀电流5~80分钟,即将硅片腐蚀得到多孔硅;B.对步骤A所得多孔硅进行清洗,再在50~200℃下对多孔硅表面进行热氧化处理0.5~3h,使其表面引入硅羟基键,然后按固液比为1︰5~8将多孔硅放入含氨基配体的物质中,在30~90℃下搅拌进行氨基功能化处理1~24h,得到氨基功能化多孔硅基
所属类别: 发明专利
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