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一种测量镶嵌薄膜杨氏模量的方法
| 专利名称： | 一种测量镶嵌薄膜杨氏模量的方法 |
| 摘要： | 本发明属于材料物理特性检测技术领域，涉及一种测量镶嵌薄膜杨氏模量的方法，包括下列步骤：(1)建立镶嵌薄膜及硅衬底的仿真模型；(2)确定镶嵌薄膜及硅衬底的参数；(3)确定镶嵌薄膜及硅衬底的边界条件；(3)利用有限元的方法绘制一系列镶嵌薄膜基体取不同杨氏模量时的理论频散曲线；(5)对待测样本的镶嵌薄膜的实际频散曲线进行测量；(6)将测量得到的待测样本的镶嵌薄膜的实际频散曲线与理论频散曲线进行匹配，得到镶嵌薄膜的杨氏模量。本发明能够无损、快速、准确的测量电介质材料的杨氏模量，解决了以前方法不能测量镶嵌结构薄膜中电介质杨氏模量的问题。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 天津;12 |
| 申请人： | 天津大学 |
| 发明人： | 肖夏;孙远;单兴锰 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2011-11-24T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201110378267.0 |
| 公开号： | CN102520066A |
| 代理机构： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 |
| 代理人： | 程毓英 |
| 分类号： | G01N29/07(2006.01)I |
| 申请人地址： | 300072 天津市南开区卫津路92号 |
| 主权项： | 一种测量镶嵌薄膜杨氏模量的方法，用于测量覆盖在硅衬底上的镶嵌薄膜的杨氏模量，镶嵌薄膜的基体为低介电常数电介质材料，镶嵌体为金属材料，包括下列步骤：(1)根据待测样本的镶嵌薄膜的结构，建立镶嵌薄膜及硅衬底的2维仿真模型：模型高度至少为模型宽度的1.5倍；(2)确定镶嵌薄膜及硅衬底的参数：将硅衬底设为压电材料，镶嵌薄膜设置为去耦合各向同性材料，然后根据表面波的传播方向(沿Si[100]或Si[110])确定衬底的刚度矩阵，再设定硅衬底的介电常数以及密度，并分别设定镶嵌薄膜的镶嵌体和基体的杨氏模量、密度和介电常 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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