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多层单元固态硬盘的存储管理方法
| 专利名称： | 多层单元固态硬盘的存储管理方法 |
| 摘要： | 本发明涉及信息存储技术领域，尤其涉及一种多层单元固态硬盘的存储管理方法，包括如下步骤：对多层单元固态硬盘中预先选定的数据块进行ECC扫描检测以获取数据块中错误数据的位数；判断错误位数是否达到预警值，若是，则继续进行下一步，若否，则不对数据块做任何处理；继续判断错误位数是否达到临界值，若是，则继续进行下一步，若否，则将数据块配置为单层单元存储模式；继续判断错误位数是否大于ECC最大纠错位数，若是，则将数据块中包含有错误数据的页均标记为失效页，若否，则将数据块由多次可编程模式调整为一次可编程模式。这样有效保证了多层单元固态硬盘正常使用，并提高了多层单元固态硬盘寿命。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 发明人： | 景蔚亮;陈邦明 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2014-09-01T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201410440438.1 |
| 公开号： | CN104216665A |
| 代理机构： | 上海申新律师事务所 31272 |
| 代理人： | 吴俊 |
| 分类号： | G06F3/06(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201506 上海市金山区亭卫公路6505号2幢8号 |
| 主权项： | 一种多层单元固态硬盘的存储管理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：对所述多层单元固态硬盘中的数据块进行ECC检测以获取所述数据块中数据的错误位数；步骤S2：判断所述错误位数是否达到预警值，若是，则继续进行步骤S3，若否，则不对所述数据块做任何处理；步骤S3：继续判断所述错误位数是否达到临界值，若是，则继续进行步骤S4，若否，则将所述数据块配置为单层单元存储模式；步骤S4：继续判断所述错误位数是否大于ECC最大纠错位数，若是，则将所述数据块中包含有错误数据的页均标记为失效页，若否，则将所述数据块由多次可编程模式调整为一次可编程模式。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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