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原文传递倒置式顶发射器件及其制备方法

专利名称：	倒置式顶发射器件及其制备方法
摘要：	本发明提供了一种倒置式顶发射器件，包括依次层叠的ITO/Ag/ITO基板、阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及阳极，其中所述阴极的材料为碳酸铯。本发明所提供的倒置式顶发射器件及其制备方法，在现有ITO/Ag/ITO/HTL/EML/ETL/Mg:Ag结构的基础上，把器件结构改为：ITO/Ag/ITO/Cs2CO3/ETL/EML/HTL/MoO3/Ag，这样避免使用了低功函数金属Mg，在这种情况下，即便出现封装不理想的情况的，也可以保证器件不易受水氧氧化，从而保证获得较理想的器件寿命。
专利类型：	发明专利
申请人：	上海和辉光电有限公司
发明人：	李艳虎;林信志;张斌;李贵芳
专利状态：	有效
申请日期：	2014-08-01T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201410378135.1
公开号：	CN104167496A
代理机构：	上海唯源专利代理有限公司 31229
代理人：	曾耀先
分类号：	H01L51/50(2006.01)I
申请人地址：	201508 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室
主权项：	一种倒置式顶发射器件，其特征在于，包括依次层叠的ITO/Ag/ITO基板、阴极层、电子传输层、发光层、空穴传输层以及阳极层，其中所述阴极的材料为碳酸铯。
所属类别：	发明专利