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提高OLED结构中铝反射率的方法
| 专利名称： | 提高OLED结构中铝反射率的方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高OLED结构中铝反射率的方法，所述OLED结构包括顶层ITO、中间反射层和底层ITO，所述中间反射层为铝反射层，方法包括：形成一底层ITO；在所述底层ITO表面镀所述铝反射层，同时并通入充足氧气，从而在所述铝反射层表面均匀形成一氧化铝膜层；调配所述铝反射层的镀膜速率直至所述氧化铝膜层形成；在所述氧化铝层表面形成所述顶层ITO。本发明实现了金属铝膜表面的缺陷修补及覆盖，抑制金属铝的突起（Hillock），进而改善其反射率。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 申请人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 发明人： | 王承贤;刘志鸿 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2013-03-27T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201310103197.7 |
| 公开号： | CN104078597A |
| 代理机构： | 上海申新律师事务所 31272 |
| 代理人： | 竺路玲 |
| 分类号： | H01L51/52(2006.01)I |
| 申请人地址： | 201506 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 |
| 主权项： | 一种提高OLED结构中铝反射率的方法，所述OLED结构包括顶层ITO、中间反射层和底层ITO，所述中间反射层为铝反射层，其特征在于：形成一底层ITO；在所述底层ITO表面镀所述铝反射层，同时并通入充足氧气，从而在所述铝反射层表面均匀形成一氧化铝膜层；调配所述铝反射层的镀膜速率直至所述氧化铝膜层形成；在所述氧化铝层表面形成所述顶层ITO。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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