专利名称: |
一种提升有机发光二极管结构强度的方法 |
摘要: |
本发明涉及一种有机发光二极管显示技术领域,尤指一种提升有机发光二极管结构强度的方法。依次执行如下步骤:通过研磨工艺去除有机发光二极管切割时产生的切割裂痕;通过蚀刻工艺去除研磨工艺过程中产生的微裂痕。采用上述方法解决因有机发光二极管留存有切割裂痕而影响显示屏强度的问题,降低有机发光二极管中玻璃基层上的应力残留,提升有机发光二极管的结构强度。 |
专利类型: |
发明专利 |
申请人: |
上海和辉光电有限公司 |
发明人: |
谢博钧;邓学易;粟宝卫;翟宏峰 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2013-11-22T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201310597065.4 |
公开号: |
CN103730604A |
代理机构: |
上海唯源专利代理有限公司 31229 |
代理人: |
曾耀先 |
分类号: |
H01L51/56(2006.01)I |
申请人地址: |
201508 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室 |
主权项: |
一种提升有机发光二极管结构强度的方法,其特征在于,该方法包括:通过研磨工艺去除有机发光二极管切割时产生的切割裂痕;通过蚀刻工艺去除所述研磨工艺过程中产生的微裂痕。 |
所属类别: |
发明专利 |