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原文传递改善多晶硅结晶率的方法及装置

专利名称：	改善多晶硅结晶率的方法及装置
摘要：	本发明公开了一种改善多晶硅结晶率的方法，应用于非晶硅层转化为多晶硅层的工艺中，具体为叠加至少两脉冲激光束形成叠加脉冲激光束，且叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于每个脉冲激光束的脉冲宽度，利用该叠加脉冲激光束照射非晶硅层，以使非晶硅层转化为多晶硅层；通过使用至少两个准分子激光源，调制激光的脉冲宽度，形成一具有较长脉冲宽度的叠加脉冲激光束照射于非晶硅层表面，在将非晶硅层转化为多晶硅层的同时，还降低了激光的峰值功率，减小了氢爆现象的发生几率，从而克服了由氢爆现象导致的多晶硅薄膜脱落而污染光镜组的问题，进而提高了多晶硅的结晶率。
专利类型：	发明专利
申请人：	上海和辉光电有限公司
发明人：	钟尚骅;叶昱均
专利状态：	有效
申请日期：	2013-04-12T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201310128323.4
公开号：	CN103236399A
代理机构：	上海申新律师事务所 31272
代理人：	竺路玲
分类号：	H01L21/268(2006.01)I
申请人地址：	201506 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室
主权项：	一种改善多晶硅结晶率的方法，应用于将非晶硅层转化为多晶硅层的工艺中，所述非晶硅层覆盖于一硬质衬底的上表面，其特征在于，所述方法包括：将至少两脉冲激光束进行叠加，形成一叠加脉冲激光束；利用所述叠加脉冲激光束照射所述非晶硅层，以使所述非晶硅层转化为多晶硅层；所述叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于每个所述脉冲激光束的脉冲宽度，且每个所述脉冲激光束的峰值功率均低于一预设值。
所属类别：	发明专利