详情

原文传递以高能辐射源形成多晶硅的方法

专利名称：	以高能辐射源形成多晶硅的方法
摘要：	本发明公开了一种以高能辐射源形成多晶硅的方法，其采用一个准分子雷射系统，该准分子雷射系统包括至少两个具有不同波长的所述激光源，二向色镜，反射镜以及基板；所述二向色镜和所述反射镜面对所述激光源并与所述激光源之间呈一定夹角以使所述激光源发射的激光垂直照射于所述基板上；所述反射镜位于所述二向色镜上方；所述基板上放置半导体薄膜材料；上述技术方案的有益效果是：可以有效增加多晶硅的结晶率，减少准分子雷射的频率使用，减少成本，并有效提高回火的产能。
专利类型：	发明专利
申请人：	上海和辉光电有限公司
发明人：	叶昱均
专利状态：	有效
申请日期：	2013-03-08T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201310073478.2
公开号：	CN103165422A
代理机构：	上海申新律师事务所 31272
代理人：	竺路玲
分类号：	H01L21/263(2006.01)I
申请人地址：	201506 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室
主权项：	以高能辐射源形成多晶硅的方法，其特征在于，所述高能辐射源为激光源，采用一个准分子雷射系统形成多晶硅，所述准分子雷射系统包括至少两个具有不同波长的所述激光源，二向色镜、反射镜以及基板；所述二向色镜和所述反射镜面对所述激光源并与所述激光源之间呈一定夹角以使所述激光源发射的激光垂直照射于所述基板上；所述反射镜位于所述二向色镜上方；在所述基板上放置半导体薄膜材料。
所属类别：	发明专利