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原文传递 基于相变存储单元的非易失性D触发器电路及实现方法
专利名称: 基于相变存储单元的非易失性D触发器电路及实现方法
摘要: 本发明公开了一种基于相变存储单元的非易失性D触发器及其实现方法,包括D触发器单元和相变存储单元;所述D触发器单元与所述相变存储单元串联连接。本发明基于相变存储单元的非易失性D触发器具有位级存储以及恢复的能力,可以在实现传统D触发器功能的同时,还可以使D触发器在掉电时保存其当前状态,并能在电源恢复后恢复到掉电之前的状态。
专利类型: 发明专利
申请人: 上海新储集成电路有限公司
发明人: 亢勇;陈邦明
专利状态: 有效
申请日期: 2011-12-08T00:00:00+0800
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201110405917.6
公开号: CN102426856A
代理机构: 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257
代理人: 董红曼
分类号: G11C14/00(2006.01)I
申请人地址: 201506 上海市金山区亭卫公路6505号2栋8号
主权项: 一种基于相变存储单元的非易失性D触发器电路,其特征在于,包括D触发器单元(1)和相变存储单元(2);所述D触发器与所述相变存储单元串联连接。
所属类别: 发明专利
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