专利名称: | 铜铟硫半导体纳米粒子的制备方法 |
摘要: | 本发明涉及铜铟硫半导体纳米粒子的制备方法。将铜盐、铟盐和烷基硫醇加入到装有非极性的高沸点的有机溶剂的反应容器中,然后通入惰性气体排除容器中的空气,加热搅拌、溶解,直至得到深红色的胶体溶液;将步骤a)得到的胶体溶液冷却到室温,加入极性溶剂,通过离心沉降得到铜铟硫半导体纳米粒子。对得到的铜铟硫半导体纳米粒子可进一步清洗、真空干燥得到铜铟硫半导体纳米粒子粉末。本发明得到的铜铟硫半导体纳米粒子的粒径大小为2~10nm,形貌具有球形、三角形、片状和/或棒状等形貌;产率高达90%。 |
专利类型: | 发明专利 |
申请人: | 中国科学院化学研究所; |
发明人: | 钟海政;李永舫 |
专利状态: | 有效 |
申请日期: | 2008-03-06T00:00:00+0800 |
发布日期: | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: | CN200810101428.X |
公开号: | CN101234779 |
代理机构: | 上海智信专利代理有限公司 |
代理人: | 李柏 |
分类号: | C01G15/00(2006.01) |
申请人地址: | 100080北京市海淀区中关村北一街2号 |
主权项: | 1.一种铜铟硫半导体纳米粒子的制备方法,其特征是,该方法包括以下步骤: a)将铜盐、铟盐和烷基硫醇加入到装有非极性有机溶剂的反应容器中, 然后通入惰性气体排除容器中的空气,加热搅拌、溶解,直至得到深红色的胶体溶液; b)将步骤a)得到的胶体溶液冷却到室温,加入极性溶剂,通过离心沉降得到铜铟硫半导体纳米粒子。 |
所属类别: | 发明专利 |