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原文传递多区域气体流量控制装置

专利名称：	多区域气体流量控制装置
摘要：	本实用新型公开了一种多区域气体流量控制装置，应用于半导体设备中，所述半导体设备包括腔体，所述腔体内置有上电极和与所述上电极相对的下电极；所述多区域气体流量控制装置包括：流量控制器、管道、多个输入管，所述流量控制器与所述管道连接，所述管道与多个所述输入管连接，所述输入管穿过所述腔体后作用于所述上电极，利用所述流量控制器控制流经所述管道和所述输入管的气体的流量。本实用新型多区域气体流量控制装置有效调整气体分布的均匀性，防止发生上电极下垂的现象，使上下电极的间隙保持一致。
专利类型：	实用新型专利
申请人：	上海和辉光电有限公司
发明人：	钟尚骅
专利状态：	有效
申请日期：	2014-06-18T00:00:00+0800
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201420324040.7
公开号：	CN203909634U
代理机构：	上海唯源专利代理有限公司 31229
代理人：	曾耀先
分类号：	G05D7/06(2006.01)I
申请人地址：	201508 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室
主权项：	一种多区域气体流量控制装置，应用于半导体设备中，所述半导体设备包括腔体，所述腔体内置有上电极和与所述上电极相对的下电极；其特征在于，所述多区域气体流量控制装置包括：流量控制器、管道、多个输入管，所述流量控制器与所述管道连接，所述管道与多个所述输入管连接，所述输入管穿过所述腔体后作用于所述上电极，利用所述流量控制器控制流经所述管道和所述输入管的气体的流量。
所属类别：	实用新型