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三甲基铟接收装置[ZH]
Trimethyl indium receiving device [EN]
| 专利名称： | 三甲基铟接收装置[ZH] Trimethyl indium receiving device [EN] |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种三甲基铟接收装置，该三甲基铟接收装置包括解配釜(1)、真空缓冲罐(3)和手套箱(5)，手套箱中设有粗品接收罐(2)和冷阱(7)，粗品接收罐设置在冷阱中，粗品接收罐通过料管(17)连接解配釜并通过抽气管(18)连接真空缓冲罐，料管的靠近粗品接收罐的一端设有接收阀(12)，料管的靠近解配釜的一端设有出料阀(11)，抽气管与粗品接收罐之间设有抽气阀(13)，并且料管和抽气管中均设有加热丝(6)。通过在料管和抽气管中设有加热丝，并使用真空缓冲罐抽吸粗品接收罐中的尾气，使得避免三甲基铟接收装置的料管堵塞，又由于三甲基铟的接收过程均在密封的手套箱中进行，使得实现三甲基铟的安全接收。 |
| 专利类型： | 实用新型 |
| 国家地区组织代码： | 江西;36 |
| 申请人： | 江西佳因光电材料有限公司 |
| 发明人： | 谢贤清;王志龙;徐明;马玉峰;黄建 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2015-09-28T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201520757196.9 |
| 公开号： | CN205034817U |
| 分类号： | B65G69/20(2006.01)I |
| 申请人地址： | 330013 江西省南昌市经济技术开发区英雄大道2266号 |
| 主权项： | 一种三甲基铟接收装置，其特征在于，该三甲基铟接收装置包括解配釜(1)、真空缓冲罐(3)和手套箱(5)，所述手套箱(5)中设有密闭的粗品接收罐(2)和顶部开口的冷阱(7)，所述粗品接收罐(2)设置在所述冷阱(7)中，所述粗品接收罐(2)通过料管(17)连接所述解配釜(1)并通过抽气管(18)连接所述真空缓冲罐(3)，所述料管(17)的靠近所述粗品接收罐(2)的一端设有接收阀(12)，所述料管(17)的靠近所述解配釜(1)的一端设有出料阀(11)，所述抽气管(18)与所述粗品接收罐(2)之间设有抽气阀(13)，并且所述料管(17)和所述抽气管(18)中均设有加热丝(6)。 |
| 所属类别： | 实用新型 |
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