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3500V,15A全碳化硅功率模块制备与测试
| 题名： | 3500V,15A全碳化硅功率模块制备与测试 |
| 正文语种： | 中文 |
| 作者： | 陈思哲 何俊伟 郭清 盛况 黄润华 陶永洪 柏松 |
| 作者单位： | 浙江大学电气工程学院,浙江杭州310027 南京电子器件研究所,江苏南京210016 |
| 关键词： | 4H型碳化硅 功率模块 结型场效应晶体管 肖特基势垒二极管 |
| 摘要： | 碳化硅(SiC)功率器件是一种理想的高压大容量电力电子器件,具有高阻断电压以及高电流导通密度的特点,在新能源开发、轨道交通、电网革新以及国防装备电气化方面具有重大应用潜力.基于具有自主知识产权的碳化硅结型场效应晶体管(SiC JFET)和碳化硅肖特基势垒二极管(SiC JBS)器件,制备了国内首个高压全碳化硅功率模块.制备的模块阻断电压超过3500V,电压达到15A.模块展现了良好的电流导通能力与开关特性.本文的工作为进一步研制高压大容量全碳化硅功率模块提供了良好的基础. |
| 会议日期： | 201406 |
| 会议举办地点： | 长沙 |
| 会议名称： | 第三届特种车辆全电化技术发展论坛 |
| 出版日期： | 2014-05-31 |
| 母体文献： | 第三届特种车辆全电化技术发展论坛论文集 |
| 分类号： | TM3 TM |
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