专利名称: |
原子发射光谱分析测量铝合金中微量铍的方法 |
摘要: |
一种铝合金中微量铍的测量方法,采用摄谱仪进行以下步骤:1)以高纯铜或高纯碳作为上电极,铍光谱标样/铝合金试样作为下电极,铍光谱标样任选型号为LF2、LY2、LY4、LC10铝合金中的三种或四种,上电极设置为锥度是30‑70°的平顶锥体,平顶锥体的顶面为直径是0.5‑4.0mm的放电平面,下电极与放电平面相对的端面设置为平面,极距为1.7‑2.5mm,摄谱仪狭缝宽度为20‑30μm,预燃10‑20s、曝光13‑16s,在20±1℃条件下显影4‑7min、定影6‑10min,通过感光板记录各铍光谱标样/铝合金试样的铍光谱线;2)通过各铍光谱标样的铍光谱线绘制为标准曲线,将铝合金试样的铍光谱线代入标准曲线中,得到铝合金试样中微量铍的含量。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
重庆;50 |
申请人: |
颜长明 |
发明人: |
颜长明;程淇 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810180111.3 |
公开号: |
CN108844945A |
代理机构: |
重庆志合专利事务所(普通合伙) 50210 |
代理人: |
胡荣珲 |
分类号: |
G01N21/67(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/67 |
申请人地址: |
401326 重庆市九龙坡区西彭镇渝西交易城10栋1单元2-1 |
主权项: |
1.一种原子发射光谱分析测量铝合金中微量铍的方法,其特征在于,采用摄谱仪进行以下步骤:1)以高纯铜或高纯碳作为上电极,铍光谱标样/铝合金试样作为下电极,其中,铍光谱标样型号为LF2、LY2、LY4、LC10铝合金,上电极设置为锥度是30‑70°的平顶锥体,平顶锥体的顶面为直径是0.5‑4.0mm的放电平面,下电极与放电平面相对的端面设置为平面,上电极的放电平面与下电极的平面对应且极距为1.7‑3.0mm,设置摄谱仪狭缝宽度为20μm,预燃10‑15s、曝光10‑15s,在20±1℃条件下显影4‑7min、定影5‑10min,通过感光板记录各铍光谱标样/铝合金试样的铍光谱线;2)通过各铍光谱标样的铍光谱线绘制为标准曲线,将铝合金试样的铍光谱线代入标准曲线中,得到铝合金试样中微量铍的含量。 |
所属类别: |
发明专利 |