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一种基于SEM原位成像系统的应变测量方法
| 专利名称： | 一种基于SEM原位成像系统的应变测量方法 |
| 摘要： | 一种基于SEM原位成像系统的应变测量方法包括如下步骤：利用计算机软件生成一系列随机分布的点，模拟散斑图；对试样进行机加工，将切割后的试样砂纸打磨，抛光，清洗；进行散斑制备：基于生成的模拟散斑图采用光刻技术在试样表面制备微纳散斑；利用SEM原位成像系统找出散斑区域，拍摄试样未变形时的图像；在试验机中对试样进行拉伸试验；利用SEM原位成像系统找出散斑区域，拍摄试样变形后的图像；结合计算机软件将试样变形前后的图像进行数字图像相关分析，得出试样拍摄区域的应变场。该方法精度高、便于操作，可实现非接触测量、全场测量，尺度精确到纳米级别。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖南;43 |
| 申请人： | 湖南大学 |
| 发明人： | 王晓钢;姜潮;刘承欢;陈泓锦 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810423998.4 |
| 公开号： | CN108548834A |
| 代理机构： | 长沙惟盛赟鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 43228 |
| 代理人： | 姚亮梅 |
| 分类号： | G01N23/22(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N23;G01N23/22 |
| 申请人地址： | 410082 湖南省长沙市麓山南路1号 |
| 主权项： | 1.一种基于SEM原位成像系统的应变测量方法,其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤(1)利用计算机软件生成一系列随机分布的点，模拟散斑图；步骤(2)对试样进行机加工，达到所需的几何尺寸，将切割后的试样砂纸打磨，抛光，清洗；步骤(3)进行散斑制备：基于生成的模拟散斑图采用光刻技术在试样表面制备微纳散斑；步骤(4)利用SEM原位成像系统找出散斑区域，调整放大倍数和对比度直到观察到清晰的图像为止，拍摄试样未变形时的图像；步骤(5)在试验机中对试样进行拉伸试验；步骤(6)利用SEM原位成像系统找出散斑区域，调整放大倍数和对比度直到观察到清晰的图像为止，拍摄试样变形后的图像；步骤(7)结合计算机软件将试样变形前后的图像进行数字图像相关分析，得出试样拍摄区域的应变场。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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