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一种基于SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用
| 专利名称： | 一种基于SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用 |
| 摘要： | 本发明属于纳米材料技术领域，提供一种基于SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器、制备工艺及应用。基于SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器主要由气敏材料和加热基板组成，所述气敏材料涂覆在所述加热基板表面，涂覆厚度为1μm～100μm；所述气敏材料成分为二硒化锡和二氧化锡形成的异质结复合纳米材料。本发明采用热氧化法获得一种新型异质结复合纳米材料，原材料获取方便、价格低廉、制备异质结过程简单，是一种设备投资小，工艺流程简单的二维半导体异质结制备方案。本发明利用二硒化锡和二氧化锡异质结复合纳米材料制作的二氧化氮传感器工作温度为120℃，可以实现材料与硅基微电子相集成。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 辽宁;21 |
| 申请人： | 大连理工大学 |
| 发明人： | 李晓干;李欣宇;王明峰;顾丁;刘航 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810634837.X |
| 公开号： | CN108872325A |
| 代理机构： | 大连理工大学专利中心 21200 |
| 代理人： | 温福雪;梅洪玉 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12 |
| 申请人地址： | 116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 |
| 主权项： | 1.一种基于SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器，其特征在于，所述的基于SnSe2/SnO2异质结的二氧化氮气体传感器主要由气敏材料和加热基板组成，所述气敏材料涂覆在所述加热基板表面，涂覆厚度为1μm～100μm；所述气敏材料成分为二硒化锡和二氧化锡形成的异质结复合纳米材料。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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