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原文传递一种漏磁信号增强结构

专利名称：	一种漏磁信号增强结构
摘要：	本发明公开了一种漏磁信号增强结构，包括：磁芯、磁敏传感器和铁氧体；铁氧体安装在磁敏传感器上方，铁氧体安装在磁芯下方正中处，磁敏传感器的下表面与磁芯下表面平齐；磁敏传感器的输出进行高通滤波后得到增强的信号。本发明的有益效果为：有效增加漏磁检测中漏磁信号的强度，在磁芯和磁敏传感器与被测工件的提离不变或提离低频变化时，可以增加缺陷信号的信噪比，适用于低速铁磁性材料表面缺陷的检测。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	南京航空航天大学
发明人：	贾银亮;王平;梁康武;许鹏
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201810268424.4
公开号：	CN108562640A
代理机构：	南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204
代理人：	王安琪
分类号：	G01N27/85(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/85
申请人地址：	210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号
主权项：	1.一种漏磁信号增强结构，其特征在于，包括：磁芯、磁敏传感器和铁氧体；铁氧体安装在磁敏传感器上方，铁氧体安装在磁芯下方正中处，磁敏传感器的下表面与磁芯下表面平齐；磁敏传感器的输出进行高通滤波后得到增强的信号。
所属类别：	发明专利