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一种多孔薄膜闭孔温度的测试计算方法
| 专利名称： | 一种多孔薄膜闭孔温度的测试计算方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种多孔薄膜闭孔温度的测试计算方法，所述测试计算方法至少包括：首先，提供多孔薄膜，将所述多孔薄膜置于温度升高的环境中，测试升温过程中所述多孔薄膜的长度；然后，将所述长度对温度求一阶导数，再以所述一阶导数为纵轴、所述温度为横轴绘制曲线，所述曲线中沿所述横轴方向出现的第一个峰所对应的温度值为所述多孔薄膜的闭孔温度。利用本发明的测试计算方法可以成功获得多孔薄膜的闭孔温度，而且该方法简单、速度快、结果精确、对环境友好。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 上海;31 |
| 申请人： | 上海恩捷新材料科技股份有限公司 |
| 发明人： | 程跃;鲍晋珍;方宏晨;庄志;陈永乐 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810223856.3 |
| 公开号： | CN108562608A |
| 代理机构： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 |
| 代理人： | 余明伟 |
| 分类号： | G01N25/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N25;G01N25/12 |
| 申请人地址： | 201399 上海市浦东新区南芦公路155号 |
| 主权项： | 1.一种多孔薄膜闭孔温度的测试计算方法，其特征在于，所述测试计算方法至少包括：提供待测的多孔薄膜，将所述多孔薄膜置于升温环境中，测试升温过程中所述多孔薄膜的长度；将所述长度对温度求一阶导数，再以所述一阶导数为纵轴、所述温度为横轴绘制曲线，所述曲线中沿所述横轴方向出现的第一个峰所对应的温度值为所述多孔薄膜的闭孔温度。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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