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原文传递一种SERS芯片的制备方法

专利名称：	一种SERS芯片的制备方法
摘要：	本发明提供了SERS芯片包括表面具有多个凹坑的衬底和设置在凹坑内的纳米结构单元，纳米结构单元包括一个或多个金属纳米棒，金属纳米棒上部伸出凹坑。本发明通过使金属纳米棒的一端露出凹坑，裸露在外面的SERS活性物质具有高的均匀性和稳定性，本发明的制备方法简单、效率高、成本低、能大规模地生产高性能SERS芯片，能很好的满足商业化的需求。本发明制得的SERS芯片，可重复性高，热点均匀，性质稳定，可大面积生长，灵敏度高。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	苏州天际创新纳米技术有限公司
发明人：	孙海龙;郭清华
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201810240133.4
公开号：	CN108872186A
代理机构：	苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人：	汪青;周敏
分类号：	G01N21/65(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/65
申请人地址：	215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号D栋7楼
主权项：	1.一种SERS芯片，其特征在于：所述SERS芯片包括表面具有多个凹坑的衬底和设置在所述凹坑内的纳米结构单元，所述纳米结构单元包括一个或多个金属纳米棒，所述金属纳米棒上部伸出所述凹坑。
所属类别：	发明专利