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一种氧化硅薄膜中氧空位浓度的测量方法
| 专利名称： | 一种氧化硅薄膜中氧空位浓度的测量方法 |
| 摘要： | 本发明提供一种氧化硅薄膜中氧空位浓度的测量方法，其原理是，首先向氧化硅薄膜样品中注入载流子，使中性氧空位缺陷变成带正电的氧空位缺陷；然后表征已知浓度的标准样品和氧化硅薄膜样品的电子顺磁共振谱；最后根据氧化硅薄膜样品与标准样品对微波吸收强度的对比，定量计算出氧化硅薄膜中氧空位缺陷的浓度。本发明测量方法简单，容易掌握，对于半导体器件氧化层中缺陷研究具有重要意义。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 发明人： | 张光辉;董鹏;宋宇;杨萍;李沫;代刚;张健 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810003744.7 |
| 公开号： | CN108375601A |
| 代理机构： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 |
| 代理人： | 蒋斯琪 |
| 分类号： | G01N24/10(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N24;G01N24/10 |
| 申请人地址： | 621999 四川省绵阳市游仙区绵山路64号 |
| 主权项： | 1.一种氧化硅薄膜中氧空位浓度的测量方法，其特征在于具体步骤如下：步骤S1，将氧化硅薄膜样品切割成细长条状；步骤S2，将1,1‑二苯基‑2‑三硝基苯肼和KCl粉末混合，研磨混合均匀，配制质量浓度为 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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