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一种纳米VN/石墨烯复合糊电极传感器的制备方法
| 专利名称： | 一种纳米VN/石墨烯复合糊电极传感器的制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种纳米VN/石墨烯复合糊电极传感器的制备方法，其特征在于，首先采用硫酸对氧化石墨烯进行预处理，得到预处理氧化石墨烯；然后，在玛瑙研钵中，按如下质量百分比加入，纳米VN：42~45%，预处理氧化石墨烯：20~25%，N‑乙基‑3‑甲基吡啶六氟磷酸盐：12~18%，液体石蜡：8~12%，石油醚：6~10%，研磨均匀，将其碳糊装入连有导线的内经为Φ5mm的玻璃管内，压实，干燥，用金相砂纸打磨，抛光，去离子水洗涤，即得纳米VN/石墨烯复合糊电极。该电极具有比普通的碳糊电极导电性能提高2~4倍，电化学窗口宽、制备方法简单、成本低、表面易更新、残余电流小等优点。检测木犀草素灵敏度高，选择性好。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 山东;37 |
| 申请人： | 济南大学 |
| 发明人： | 李慧芝;翟玉博;李志英 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810454220.X |
| 公开号： | CN108918609A |
| 代理机构： | 济南誉丰专利代理事务所(普通合伙企业) 37240 |
| 代理人： | 高强 |
| 分类号： | G01N27/30(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;G;B;G01;B82;G01N;B82Y;G01N27;B82Y30;G01N27/30;B82Y30/00 |
| 申请人地址： | 250022 山东省济南市市中区南辛庄西路336号 |
| 主权项： | 1.一种纳米VN /石墨烯复合糊电极传感器的制备方法，其特征在于，该方法具有以下工艺步骤：（1）氧化石墨烯预处理：在反应器中，按如下质量百分比加入，去离子水：70~75%，浓硫酸：8~12%，混合均匀，冷至室温，加入氧化石墨烯：15~20%，各组分之和为百分之百，于室温浸泡15~18h，固液分离，用去离子水洗涤无硫酸根，干燥，研磨至粉末，即得预处理氧化石墨烯；（2）纳米VN /石墨烯复合糊电极的制备：在玛瑙研钵中，按如下质量百分比加入，纳米VN：42~45%，预处理氧化石墨烯：20~25%，N‑乙基‑3‑甲基吡啶六氟磷酸盐：12~18%，液体石蜡：8~12%，石油醚：6~10%，各组分之和为百分之百，研磨均匀，即得纳米VN /石墨烯/ N‑乙基‑3‑甲基吡啶六氟磷酸盐混合物碳糊；然后将其碳糊装入连有导线的内经为Φ5mm的玻璃管内，压实，干燥，用金相砂纸打磨，抛光，去离子水洗涤，即得纳米VN /石墨烯复合糊电极。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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