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一种CMUTs流体密度传感器及其制备方法
| 专利名称： | 一种CMUTs流体密度传感器及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种CMUTS流体密度传感器及其制备方法，CMUTs单元结构包括基底、下电极、二氧化硅热应力匹配层、二氧化硅支柱、二氧化硅振动薄膜层、环形金属上电极、二氧化硅绝缘层、声阻抗匹配层和隔声墙。本发明采用环形薄膜作为振动结构，相比于传统的圆形薄膜提高了谐振频率和密度检测灵敏度，同时隔声墙能有效减小CMUTs阵列中单元间的超声互辐射，从而使传感器具有更高的精度，阻抗匹配层的设置能有效提高CMUTs检测信号的强度；对CMUTs的上下电极采用低热膨胀系数的绝缘二氧化硅进行覆盖，使传感器能工作于高温、导电和腐蚀性流体的测量环境中。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 陕西;61 |
| 申请人： | 西安交通大学 |
| 发明人： | 赵立波;张家旺;李支康;李杰;卢德江;赵一鹤;徐廷中;蒋庄德 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810468138.2 |
| 公开号： | CN108918662A |
| 代理机构： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
| 代理人： | 徐文权 |
| 分类号： | G01N29/036(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N29;G01N29/036 |
| 申请人地址： | 710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号 |
| 主权项： | 1.一种CMUTs流体密度传感器，其特征在于，包括CMUTS单元，CMUTS单元包括单晶硅基底(11)，单晶硅基底(11)内设置有下电极(10)，下电极(10)上设置有二氧化硅热应力匹配层(9)，上方设置有环形的CMUTs振动薄膜，CMUTs振动薄膜包括自下至上依次设置的二氧化硅振动薄膜(5)、环形金属上电极(4)和二氧化硅绝缘层(3)。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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