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原文传递微结构制样方法

专利名称：	微结构制样方法
摘要：	本发明公开了一种微结构制样方法，包含：第一步，将芯片样品打磨至接触孔层露出；第二步，用双氧水加热去除接触孔层中的金属钨；第三步，去除层间介质；第四步，在目标浮栅和控制栅的背后钻两个深孔；第五步，刻蚀目标浮栅及控制栅上方的氮化硅，并在目标浮栅及控制栅上钻一个深孔；第六步，用铂在目标浮栅及控制栅上进行覆盖，覆盖完成后将目标控制栅与整条控制栅之间切断隔离，再去除其余全部结构；第七步，观察暴露出的浮栅尖角。本发明将要观察的浮栅固定在样品表面，而将其余不需要的部分移除，使用打孔后再淀积铂的方法用于固定原本会被腐蚀脱离的结构，以便保留此结构供观察。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	上海;31
申请人：	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人：	张雨田
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201810134165.6
公开号：	CN108398302A
代理机构：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：	戴广志
分类号：	G01N1/28(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N1;G01N1/28
申请人地址：	201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
主权项：	1.一种微结构制样方法，其特征在于：包含：第一步，将芯片样品打磨至接触孔层露出；第二步，用双氧水加热去除接触孔层中的金属钨；第三步，去除层间介质；第四步，在目标浮栅和控制栅的背后钻两个深孔；第五步，刻蚀目标浮栅及控制栅上方的氮化硅，并在目标浮栅及控制栅上钻一个孔；第六步，用金属铂在目标浮栅及控制栅上进行覆盖，覆盖完成后将目标控制栅与整条控制栅之间切断隔离，再去除其余全部结构；第七步，观察已经完整暴露出的浮栅尖角。
所属类别：	发明专利