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一种纳米非导电涂/镀层精细EBSD表征试样及其制备方法
| 专利名称： | 一种纳米非导电涂/镀层精细EBSD表征试样及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种纳米非导电涂/镀层精细EBSD表征试样及其制备方法，属于电子显微分析技术领域。制备方法包括：于纳米非导电涂/镀层的表面蒸镀金属导电膜，然后截取待测试样，镶嵌包埋待测试样，然后研磨抛光经镶嵌包埋后的待测试样的表面，截取非导电涂/镀层试样，除去非导电涂/镀层试样的镶嵌包覆物，对带蒸镀导电膜的非导电涂/镀层试样离子抛光。该方法针解决了EBSD面扫描需要对被表征表面施加大束斑大电流而纳米非导电涂层导电不良而电荷积累的矛盾，提供一种可以完整整体表征或局部精细表征纳米非导电涂/镀层试样制备方法。由此得到的纳米非导电涂/镀层精细EBSD表征试样能够满足EBSD精细表征需要。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 广东省新材料研究所 |
| 发明人： | 况敏;刘敏;叶云;陈焕涛;王昊;胡芳;黄健 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810228194.9 |
| 公开号： | CN108445027A |
| 代理机构： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 |
| 代理人： | 李进 |
| 分类号： | G01N23/20008(2018.01)I;G01N23/203(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;G;C;G01;C23;G01N;C23C;G01N23;C23C14;G01N23/20008;G01N23/203;C23C14/14;C23C14/24;C23C14/58 |
| 申请人地址： | 510000 广东省广州市天河区长兴路363号 |
| 主权项： | 1.一种纳米非导电涂/镀层精细EBSD表征试样的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：于纳米非导电涂/镀层的表面蒸镀金属导电膜，然后截取待测试样，镶嵌包埋所述待测试样，然后研磨抛光经镶嵌包埋后的所述待测试样的表面，截取非导电涂/镀层试样，除去所述非导电涂/镀层试样的镶嵌包覆物，对带蒸镀导电膜的所述非导电涂/镀层试样离子抛光。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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