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基于反射双共振谷光纤表面等离子共振传感器
| 专利名称： | 基于反射双共振谷光纤表面等离子共振传感器 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种基于反射双共振谷光纤表面等离子共振传感器，包括位于光纤端面的金属膜，金属膜上均匀排列满工字型纳米狭缝结构，其中工字型纳米狭缝结构由三条相互连通的矩形狭缝构成。本实用新型的传感器具有两个共振波长，相互修正结果的两个共振波长可以使得测量结果更加精确。并且这两个共振波长的大小可以通过调节传感器的结构参数来调整，从而来适应不同的实用范围。实现了一种检测精度高、适用范围广、易于加工的光纤表面等离子体共振传感器。 |
| 专利类型： | 实用新型 |
| 国家地区组织代码： | 广西;45 |
| 申请人： | 桂林电子科技大学 |
| 发明人： | 戴心玥;肖功利;韦清臣;宋美颖;黄文海;梁峰;周继振;杨宏艳;徐俊林;杨秀华;窦婉滢 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201820153247.0 |
| 公开号： | CN207764126U |
| 代理机构： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 |
| 代理人： | 陈跃琳 |
| 分类号： | G01N21/552(2014.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/552 |
| 申请人地址： | 541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号 |
| 主权项： | 1.基于反射双共振谷光纤表面等离子共振传感器，包括传感器本体，其特征是，所述传感器本体由金属膜(1)和2个以上的狭缝结构单元组成；所有狭缝结构单元均贯通开设在金属膜(1)上，并在金属膜(1)上呈周期性排布；每个狭缝结构单元均为2条横向狭缝和1条纵向狭缝(4)所构成的工字型结构；2条横向狭缝相互平行；纵向狭缝(4)位于2条横向狭缝之间，且纵向狭缝(4)的两端分别与这2条横向狭缝垂直连通。 |
| 所属类别： | 实用新型 |
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