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原文传递一种光谱分析芯片及其制备方法

专利名称：	一种光谱分析芯片及其制备方法
摘要：	本发明公开了一种光谱分析芯片及其制备方法，该光谱分析芯片从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列；该光谱分析芯片还包括至少一对与量子点光敏薄膜接触的金属电极构成光电探测器。探测芯片制备分三步：制备光学天线；制备量子点光敏薄膜；制作电极完成芯片制备。本发明利用金属纳米结构与量子点光敏薄膜之间的协同配合，利用光学天线的滤波和光场增强功能以及量子点的量子限域效应，对量子点光敏薄膜的光电响应进行波长调制和增敏，实现高灵敏、窄通带、可调谐的光电探测器单元，集成制备得到高灵敏光谱分析芯片。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	湖北;42
申请人：	华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
发明人：	刘欢;唐江;易飞;张建兵;张宝晖;谈小超
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201810200969.1
公开号：	CN108444927A
代理机构：	华中科技大学专利中心 42201
代理人：	许恒恒;李智
分类号：	G01N21/31(2006.01)I;G01N21/01(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/31;G01N21/01
申请人地址：	430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
主权项：	1.一种光谱分析芯片，其特征在于，从下至上依次包括硅衬底层、量子点光敏薄膜、以及光学天线，其中，所述光学天线是由金属纳米结构周期性排列得到的阵列，任意一个所述金属纳米结构其在所述硅衬底层表面上的投影的粒径满足10nm～10μm，任意一个所述金属纳米结构的高度不超过100nm；该光谱分析芯片还包括至少一对金属电极，这一对金属电极均与所述量子点光敏薄膜相接触，用于构成光电探测器。
所属类别：	发明专利