专利名称: |
一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法 |
摘要: |
本发明公开一种表面增强拉曼散射基底及其制备方法,该方法包括:制备金属磁珠,所述金属磁珠包括磁性球体内核和包覆于磁性球体内核外表的贵金属壳层;在基底本体其中一面制备区域制备若干呈阵列分布的限域坑;在基底本体外添加磁场,并使磁场反复振动,使得置于基底本体具有限域坑的面上的金属磁珠落入限域坑内,并在限域坑的深度方向上形成至少一层金属磁珠层,每层金属磁珠层由多个均匀紧密排列于限域坑内的金属磁珠形成,每层金属磁珠层的金属磁珠晶向排列呈六方形结构。该方案解决了现有技术中成本高、工艺复杂或可控性较差的问题,降低表面增强拉曼散射基底的加工成本,并提高基底热点形成的可控性及组装过程的可控性。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
湖南;43 |
申请人: |
中国人民解放军国防科技大学 |
发明人: |
王朝光;吴学忠;董培涛;陈剑;王京;李白泥 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201811272667.1 |
公开号: |
CN108956579A |
代理机构: |
长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 |
代理人: |
董惠文 |
分类号: |
G01N21/65(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/65 |
申请人地址: |
410073 湖南省长沙市开福区德雅路109号 |
主权项: |
1.一种表面增强拉曼散射基底,其特征在于,包括:基底本体,呈片状,其中一面设置制备区域;若干限域坑,底部均呈平面状,均位于所述制备区域内,并呈阵列分布;每个所述限域坑内沿深度方向形成有至少一层金属磁珠层,每层所述金属磁珠层包括多个均匀紧密排列在所述限域坑内的金属磁珠;每层所述金属磁珠层的金属磁珠排列呈六方形结构;所述金属磁珠,包括磁性球体内核和包覆于所述磁性球体内核外表的贵金属壳层。 |
所属类别: |
发明专利 |