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原文传递一种石墨烯场效应晶体管阵列生物传感器及其制备方法和检测方法

专利名称：	一种石墨烯场效应晶体管阵列生物传感器及其制备方法和检测方法
摘要：	一种石墨烯场效应晶体管阵列生物传感器及其制备方法和检测方法，本发明涉及生物传感器及其制备方法和检测方法。本发明要解决现有石墨烯场效应晶体管生物传感器在检测过程准确度较低的问题。传感器由硅衬底、氧化层、第一金属栅极、第二金属栅极、栅绝缘层、第一石墨烯导电沟道层、第二石墨烯导电沟道层、第一组源、漏电极及第二组源、漏电极组成；制备：一、晶体管结构制作；二、石墨烯表面醛基化处理；三、检测单元石墨烯表面修饰捕获抗体分子；四、检测单元和参比单元石墨烯表面其余活性位点封闭；检测：将传感器浸入到含待测抗原的溶液中，测得检测单元和参比单元石墨烯狄拉克点电压，差值对应标准工作曲线，得出待测物溶液绝对浓度。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	黑龙江;23
申请人：	中国电子科技集团公司第四十九研究所
发明人：	夏露;刘智辉;程鑫;王成杨;李玉玲;刘志远
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201810820855.7
公开号：	CN108956742A
代理机构：	哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109
代理人：	贾泽纯
分类号：	G01N27/414(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/414
申请人地址：	150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号
主权项：	1.一种石墨烯场效应晶体管阵列生物传感器，其特征在于石墨烯场效应晶体管阵列生物传感器由硅衬底(1)、氧化层(2)、第一金属栅极(3‑1)、第二金属栅极(3‑2)、栅绝缘层(4)、第一石墨烯导电沟道层(5‑1)、第二石墨烯导电沟道层(5‑2)、第一组源、漏电极(6‑1)及第二组源、漏电极(6‑2)组成：硅衬底(1)上设有氧化层(2)，氧化层(2)上对称设有第一金属栅极(3‑1)及第二金属栅极(3‑2)，第一金属栅极(3‑1)及第二金属栅极(3‑2)外部设有栅绝缘层(4)，且栅绝缘层(4)完全覆盖第一金属栅极(3‑1)及第二金属栅极(3‑2)，栅绝缘层(4)上对称设有第一石墨烯导电沟道层(5‑1)及第二石墨烯导电沟道层(5‑2)，第一石墨烯导电沟道层(5‑1)上设有第一组源、漏电极(6‑1)，第二石墨烯导电沟道层(5‑2)上设有第二组源、漏电极(6‑2)，第一组源、漏电极(6‑1)之间的第一石墨烯导电沟道层(5‑1)上固定有捕获抗体分子，第二组源、漏电极(6‑2)之间的第二石墨烯导电沟道层(5‑2)上固定有牛血清蛋白；所述的第一金属栅极(3‑1)、第一石墨烯导电沟道层(5‑1)及第一组源、漏电极(6‑1)组成检测单元(11)；所述的第二金属栅极(3‑2)、第二石墨烯导电沟道层(5‑2)及第二组源、漏电极(6‑2)组成参比单元(10)；所述的氧化层(2)厚度为500nm～550nm；所述的第一金属栅极(3‑1)及第二金属栅极(3‑2)的材质为Ti/Pt，其中Ti的厚度为90nm～110nm，Pt的厚度为190nm～210nm；所述的第一金属栅极(3‑1)及第二金属栅极(3‑2)宽度均为4μm～5μm；所述的栅绝缘层(4)在第一金属栅极(3‑1)及第二金属栅极(3‑2)两侧的厚度为8nm～10nm；所述的第一组源、漏电极(6‑1)及第二组源、漏电极(6‑2)的厚度均为1μm～2μm。
所属类别：	发明专利