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一种检测CA125的光电化学免疫传感器及其制备方法和应用
| 专利名称： | 一种检测CA125的光电化学免疫传感器及其制备方法和应用 |
| 摘要： | 本发明公开了一种检测CA125的光电化学免疫传感器及其制备方法与应用，利用PDA可以淬灭电极基底上的CdTe荧光的原理，以多巴胺DA自聚合沉积包裹SiO2形成的SiO2@PDA纳米复合物为探针分子，CdTe为光电活性物质，构建了光电化学免疫传感器来检测肿瘤标志物。本发明利用SiO2@PDA纳米复合物制备光电化学免疫生物传感器用于肿瘤标志物检测的方法，与传统的酶联免疫吸附以及传统的光学方法等方法相比具有操作简便、技术要求低、价格低廉且易于微型化等特点，所使用的荧光淬灭剂SiO2@PDA可以增加生物分子的负载量，放大信号。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 东南大学 |
| 发明人： | 沈艳飞;薛怀佳;潘登;张袁健 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810275117.9 |
| 公开号： | CN108469524A |
| 代理机构： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
| 代理人： | 肖明芳 |
| 分类号： | G01N33/574(2006.01)I;G01N33/94(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N33;G01N33/574;G01N33/94 |
| 申请人地址： | 210096 江苏省南京市江宁区东南大学路2号 |
| 主权项： | 1.一种检测CA125的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，基底电极由CdTe‑CS修饰，Ab1共价结合到修饰后的基底电极上，CA125抗原特异性结合到Ab1上，Ab2‑SiO2@PDA特异性结合到CA125抗原上。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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