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葡萄糖传感器用修饰电极及其制备方法
| 专利名称： | 葡萄糖传感器用修饰电极及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及电化学领域，具体涉及葡萄糖传感器用修饰电极及其制备方法，葡萄糖传感器用修饰电极的制备方法，包括以下步骤，①制备GO分散液，②制备ZnO纳米材料，③将步骤①和②中的GO和ZnO纳米材料进行合成，制得GO/纳米ZnO复合材料，④取Nafion溶液和步骤③中的GO/纳米ZnO复合材料制备Nafion/ZnO/GO/GCE修饰电极，即得本发明的葡萄糖传感器用修饰电极。本发明的葡萄糖传感器用修饰电极稳定性高、电化学性能好。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 东莞理工学院 |
| 发明人： | 张敏;程发良;王寿山;谢东;阮栋梁 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810434639.9 |
| 公开号： | CN108627554A |
| 代理机构： | 东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙) 44412 |
| 代理人： | 潘婷婷 |
| 分类号： | G01N27/30(2006.01)I;G01N27/327(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/30;G01N27/327 |
| 申请人地址： | 523808 广东省东莞市松山湖区大学路1号 |
| 主权项： | 1.葡萄糖传感器用修饰电极的制备方法，其特征在于：包括以下步骤，①制备GO分散液，②制备ZnO纳米材料，③将步骤①和②中的GO和ZnO纳米材料进行合成，制得GO/纳米ZnO复合材料，④取Nafion溶液和步骤③中的GO/纳米ZnO复合材料制备Nafion/ZnO/GO/GCE修饰电极，即得本发明的葡萄糖传感器用修饰电极。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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