专利名称: |
一种基于相场法的弯曲枝晶生长模拟方法 |
摘要: |
一种基于相场法的弯曲枝晶生长模拟方法,包括如下步骤:简化条件与模型初始化;建立宏观温度场方程和瞬态枝晶生长偏向角方程;建立微观组织演变模型,基于金兹堡‑朗道理论,建立模拟弯曲枝晶生长的相场模型;宏观‑微观耦合计算,将宏观温度场和枝晶生长偏向角引入到相场模型中,计算弯曲枝晶的生长过程,最终获得弯曲枝晶形貌。本发明可以定量地模拟和预测凝固过程弯曲枝晶的形成,动态的再现凝固微观组织的形成过程,有助于深化理解凝固微观组织演变过程,为微观组织演变研究及工艺优化奠定了基础。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
江苏;32 |
申请人: |
南京航空航天大学 |
发明人: |
魏艳红;王磊;刘仁培 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810042749.0 |
公开号: |
CN108254485A |
代理机构: |
南京钟山专利代理有限公司 32252 |
代理人: |
戴朝荣 |
分类号: |
G01N31/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N31;G01N31/00 |
申请人地址: |
210000 江苏省南京市将军大道29号 |
主权项: |
1.一种基于相场法的弯曲枝晶生长模拟方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:简化条件与模型初始化,根据实际情况构建模型;步骤二:建立宏观温度场方程和瞬态枝晶生长偏向角方程;步骤三:建立微观组织演变模型,基于金兹堡朗道理论,建立模拟弯曲枝晶生长的相场模型;步骤四:宏观微观耦合计算,将宏观温度场和枝晶生长偏向角引入到相场模型中,计算弯曲枝晶的生长过程。 |
所属类别: |
发明专利 |